超日净化针对Epi(磊晶)、Poly(多晶)、PECVD、MOCVD或CVD 化学气相沉积工艺尾气的处理，同时扩大在半导体及医药领域的尾气处理应用，研发出 了新一代CRBR型净化器，该类尾气净化处理装置主要能够处理的介质包括：硅烷SiH₄、磷烷PH₃、锗烷GeH₄、二氧化硅SiO₂、硼烷B2H₆、三氟化硼BF₃、一氧化二氮(笑气)N₂O、八氟环丁烷C₄F₈、四氟化碳CF₄、四氯化锗GeCl₄、四氯化硅SiCl₄、三氯氢硅SiHCl₃、氯气Cl₂、三氯化硼BCl₃、四氯化碳CCl₄、氯化碳CCl₂、氟气F₂、氢气H_2、其它酸碱性尾气、粉尘等。

废气设计处理量：每个公司生产的工艺有细微的差别，提供的尾气参数也不尽相同，但根据我公司多年治理经验，会经严格计算及放一定安全余量，保证安全最低尾气处理量，满足正常生产要求及排放的标准。

产生废水量：如果有含磷废水建议定期外运，从我们的经验来看，废水量一般不会超过2-3m³/月；如果没有含磷废水，可以直接进行酸洗中和洗涤吸收处理。 

硅酸钙等堵塞问题：我公司提供的产品对于二氧化硅、硅酸钙及其它一些粉尘的堵塞均能做到完好解决。首先在进口气处有可以不停机清理装置；其二在预处理净化室先期可净化大部分，从而保证系统不堵塞的问题；其三采用雾化喷淋段与净化功能段独立进水、喷淋、排液，无堵塞问题出现。

按上述尾气特性，我公司制定简要工艺流程如下： 

废气进口→燃烧段及预洗涤功能段→多级雾化洗涤功能段→填料净化功能段→净化后的尾气出口 

尾气在引风机作用下，通过风管路进入到尾气净化装置中的燃烧段及预洗涤腔体中，自燃的尾气经预旋转水洗涤方向后沿管壁流动，进入多级雾化喷淋洗涤功能段， 配用大流量循环泵逆流式洗涤输送，再配合螺旋式高流量、不阻塞喷嘴，使塔内喷淋密度达到11~12.9m³/（m²·h），远大于正常的10m³/（m²·h），使气液二相混合呈现更加效率状态。

经过多级雾化喷淋装置进行处理后的尾气，在风机作用下压入填料层喷淋净化段功能室，将尾气平均分布在多面空心球周围，每只呈现点接触，排列“Z或W”不规则路线行走，无偏流现象，再次使尾气得到气液二相充分接触，最后尾气达到国家标准 GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》二级排放要求，经风机抽出，并通过排风管排入大气。

某种尾气处理概况说明：若同时存在硅烷SiH₄、锗烷GeH₄、磷烷PH₃、氧气O_2、氢气H₂、氩气Ar、氮气N₂、三氟化硼BF₃ 以及微量粉尘。由于硅烷SiH₄、锗烷GeH₄ 与空气接触会引起燃烧并放出很浓的白色的无定型烟雾，它对健康的危害主要是对呼吸道的损伤及自燃后火焰引起的热灼伤，严重甚至会致命；而氢气着火点为500℃，在混合空气4-75%中容易点燃并爆炸，从安全与环保角度，无论如何都必须被有效的处理，并要完全达到国家和地方的排放相应标准后才能排入大气中。